D1230N18TXPSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [921шт шт]
- 1 pcs$50.39122
- Частка нумар:
- D1230N18TXPSA1
- Вытворца:
- Infineon Technologies
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 1.8KV 1230A.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies D1230N18TXPSA1. D1230N18TXPSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
D1230N18TXPSA1 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
D1230N18TXPSA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
DIODE GEN PURP 1.8KV 1230A
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
1800V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
1230A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.063V @ 800A
Хуткасць :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
-
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
50mA @ 1800V
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Тып мантажу :
Chassis Mount
Пакет / футляр :
DO-200AA, A-PUK
Пакет прылад пастаўшчыка :
-
Працоўная тэмпература - развязка :
-40°C ~ 180°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
QH12BZ600
Power Integrations
DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier
-
QH03BZ600
Power Integrations
DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier
-
VS-SD1100C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp
-
-
SBAS116LT1G
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T
Гарачыя часткі
- SF10JG-A
- GI816-E3/73
- FR101TA
- IDH12G65C5XKSA1
- VS-10ETF12SPBF
- JANTX1N1190
- SS15HE3_A/H
- SRP100K-E3/54
- S5GHE3/9AT
- SK33/TR13
- CDBK0530-HF
- UF4001-TP
- D251N08BXPSA1
- MSS1P2U-M3/89A
- UH2BHE3/5BT
- 1N1128AR
- SL44HE3/57T
- SS8P2L-E3/87A
- S1B-E3/51T
- 245NQ015R
- BYD33JGP-E3/54
- STTH1R04
- R5100810XXWA
- 1N5401
- SIDC03D60C6X1SA2
- 1N914A
- RL205-TP
- RS2D-13
- FR606-T
- 10BQ100
- SF11-T
- APD245VD-E1
- 1N4936-AP
- DSI30-08AS-TUB
- FESF8AT-E3/45
- RO 2BV1
- ES3A-M3/9AT
- EGP10DE-E3/54
- U1B-E3/61T
- 1N3957GP-E3/54