Infineon Technologies - IPB180N10S402ATMA1

KEY Part #: K6417312

IPB180N10S402ATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [28465шт шт]

  • 1 pcs$1.44789
  • 1,000 pcs$1.18104

Частка нумар:
IPB180N10S402ATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH TO263-7.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPB180N10S402ATMA1. IPB180N10S402ATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB180N10S402ATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPB180N10S402ATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH TO263-7
Серыя : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 180A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 275µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 14600pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 300W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO263-7-3
Пакет / футляр : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVP2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3.

  • AUIRLS3034-7TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 380A D2PAK-7P.

  • AUIRFS3004TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK.

  • FDD8447L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK.

  • FQD10N20CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK.

  • IRLR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.