Central Semiconductor Corp - CDM22010-650 SL

KEY Part #: K6398989

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Central Semiconductor Corp CDM22010-650 SL. CDM22010-650 SL можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : CDM22010-650 SL

Вытворца : Central Semiconductor Corp

Апісанне : MOSFET N-CH 10A 650V TO220

Серыя : -

Статус часткі : Active

Тып FET : N-Channel

Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)

Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 650V

Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 10A (Ta)

Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 5A, 10V

Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (макс.) : 30V

Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1168pF @ 25V

Функцыя FET : -

Рассейванне магутнасці (макс.) : 2W (Ta), 156W (Tc)

Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)

Тып мантажу : Through Hole

Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220

Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў