Infineon Technologies - AUIRFB4410

KEY Part #: K6418367

AUIRFB4410 Цэнаўтварэнне (USD) [60690шт шт]

  • 1 pcs$0.64426
  • 1,000 pcs$0.61219

Частка нумар:
AUIRFB4410
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - SCR and Транзістары - IGBT - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies AUIRFB4410. AUIRFB4410 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFB4410 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : AUIRFB4410
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Серыя : HEXFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 75A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 58A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 5150pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 200W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AB
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.