IXYS - IXTP42N15T

KEY Part #: K6417787

IXTP42N15T Цэнаўтварэнне (USD) [41564шт шт]

  • 1 pcs$1.08728
  • 50 pcs$1.08188

Частка нумар:
IXTP42N15T
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 150V 42A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - JFET and Транзістары - IGBT - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTP42N15T. IXTP42N15T можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP42N15T Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTP42N15T
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 150V 42A TO-220
Серыя : TrenchHV™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 150V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 42A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1880pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 200W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AB
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў