Vishay Siliconix - SISS92DN-T1-GE3

KEY Part #: K6397577

SISS92DN-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [165289шт шт]

  • 1 pcs$0.22377

Частка нумар:
SISS92DN-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 250V POWERPAK 1212.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SISS92DN-T1-GE3. SISS92DN-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISS92DN-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SISS92DN-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 250V POWERPAK 1212
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 250V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3.4A (Ta), 12.3A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 173 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 350pF @ 125V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® 1212-8S
Пакет / футляр : PowerPAK® 1212-8S

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FCD2250N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.

  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • TK25A60X5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.