Microsemi Corporation - JANTX1N5615

KEY Part #: K6451483

Падрабязнае апісанне:: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 1A FAST 200V HR

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - РФ, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JANTX1N5615. JANTX1N5615 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : JANTX1N5615

Вытворца : Microsemi Corporation

Апісанне : DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Серыя : Military, MIL-PRF-19500/429

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Standard

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 200V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.6V @ 3A

Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 150ns

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 500nA @ 200V

Ёмістасць @ Vr, F : 45pF @ 12V, 1MHz

Тып мантажу : Through Hole

Пакет / футляр : A, Axial

Пакет прылад пастаўшчыка : A-PAK

Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

20ETF04FP

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.
8EWF10S

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.
8EWF12S

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.
80EPF12

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.
80EPF10

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247AC.
80EPF06

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 80A TO247AC.

Гарачыя часткі