Microsemi Corporation - APT41M80B2

KEY Part #: K6396052

APT41M80B2 Цэнаўтварэнне (USD) [5955шт шт]

  • 1 pcs$7.64880
  • 31 pcs$7.61075

Частка нумар:
APT41M80B2
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - JFET, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APT41M80B2. APT41M80B2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT41M80B2 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APT41M80B2
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
Серыя : POWER MOS 8™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 800V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 43A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 8070pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1040W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : T-MAX™ [B2]
Пакет / футляр : TO-247-3 Variant

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў