Microsemi Corporation - 1N5619US

KEY Part #: K6440915

1N5619US Цэнаўтварэнне (USD) [8755шт шт]

  • 1 pcs$4.94025
  • 10 pcs$4.44578
  • 25 pcs$4.05056
  • 100 pcs$3.65539
  • 250 pcs$3.35900
  • 500 pcs$3.06261

Частка нумар:
1N5619US
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 600V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - JFET, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Тырыстары - TRIAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation 1N5619US. 1N5619US можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5619US Атрыбуты прадукту

Частка нумар : 1N5619US
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.6V @ 3A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 250ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 500nA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F : 25pF @ 12V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : SQ-MELF, A
Пакет прылад пастаўшчыка : D-5A
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • RURD420S9A_T

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.

  • VS-20ETF10PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP.

  • UHB10FT-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.

  • STTH8S06FP

    STMicroelectronics

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP. Rectifiers ULT FAST HI VLT RECT TURBO 2

  • FR207TA

    SMC Diode Solutions

    DIODE GEN PURP 1KV 2A DO15.

  • BYV10X-600PQ

    WeEn Semiconductors

    DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2. Rectifiers Ultrafast Pwr Diode