Частка нумар :
HUF75631S3S
Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
33A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
79nC @ 20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1220pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
120W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
D²PAK (TO-263AB)
Пакет / футляр :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB