Частка нумар :
NTMFS5832NLT1G
Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
MOSFET N-CH 40V 110A SO-8FL
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
20A (Ta), 111A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
51nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
2700pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
3.1W (Ta), 96W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Пакет / футляр :
8-PowerTDFN, 5 Leads