IXYS - IXFR4N100Q

KEY Part #: K6410153

IXFR4N100Q Цэнаўтварэнне (USD) [7392шт шт]

  • 1 pcs$6.13454

Частка нумар:
IXFR4N100Q
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFR4N100Q. IXFR4N100Q можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR4N100Q Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFR4N100Q
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247
Серыя : HiPerFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1000V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3.5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 1.5mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1050pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 80W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : ISOPLUS247™
Пакет / футляр : ISOPLUS247™

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VN2222LL-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • ZVN4206AV

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • IXTY1R4N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

  • FCD7N60TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FDD5810

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 37A DPAK.

  • BSL211SPT

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP.