Vishay Siliconix - SIHP33N60EF-GE3

KEY Part #: K6416286

SIHP33N60EF-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [12863шт шт]

  • 1 pcs$3.08931
  • 10 pcs$2.78126
  • 100 pcs$2.28692
  • 500 pcs$1.91606
  • 1,000 pcs$1.66882

Частка нумар:
SIHP33N60EF-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIHP33N60EF-GE3. SIHP33N60EF-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHP33N60EF-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIHP33N60EF-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 33A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 98 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3454pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 278W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AB
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • PSMN5R0-80PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB.

  • FDG410NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6.

  • SI1441EDH-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363.

  • SI1422DH-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6.