Vishay Siliconix - SIA445EDJT-T1-GE3

KEY Part #: K6421362

SIA445EDJT-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [485597шт шт]

  • 1 pcs$0.07617

Частка нумар:
SIA445EDJT-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - JFET, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Тырыстары - SCR, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIA445EDJT-T1-GE3. SIA445EDJT-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA445EDJT-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIA445EDJT-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 12A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.7 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 69nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±12V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2180pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 19W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® SC-70-6 Single
Пакет / футляр : PowerPAK® SC-70-6

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў