Diodes Incorporated - ZVN4306GVTC

KEY Part #: K6413672

[13019шт шт]


    Частка нумар:
    ZVN4306GVTC
    Вытворца:
    Diodes Incorporated
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - Зэнер - Масівы, Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - масівы and Тырыстары - SCR - Модулі ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated ZVN4306GVTC. ZVN4306GVTC можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ZVN4306GVTC Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : ZVN4306GVTC
    Вытворца : Diodes Incorporated
    Апісанне : MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2.1A (Ta)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 330 mOhm @ 3A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 350pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 3W (Ta)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-223
    Пакет / футляр : TO-261-4, TO-261AA

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • IRF5804TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • IRF5805TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

    • IRF5800TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • IRF5805

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

    • IRF5800

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • IRF5804

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.