Частка нумар :
FQI4N20LTU
Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
3.8A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.35 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
5.2nC @ 5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
310pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
3.13W (Ta), 45W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
I2PAK (TO-262)
Пакет / футляр :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA