Vishay Siliconix - SIHG23N60E-GE3

KEY Part #: K6399384

SIHG23N60E-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [18087шт шт]

  • 1 pcs$2.27842
  • 10 pcs$2.03383
  • 100 pcs$1.66756
  • 500 pcs$1.35031
  • 1,000 pcs$1.08042

Частка нумар:
SIHG23N60E-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIHG23N60E-GE3. SIHG23N60E-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG23N60E-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIHG23N60E-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
Серыя : E
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 23A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 158 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2418pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 227W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TA)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247AC
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • IXTY1R6N50D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.

  • IXTY1R6N100D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.