Infineon Technologies - IPA50R190CEXKSA2

KEY Part #: K6417854

IPA50R190CEXKSA2 Цэнаўтварэнне (USD) [43497шт шт]

  • 1 pcs$0.78603
  • 10 pcs$0.70826
  • 100 pcs$0.56916
  • 500 pcs$0.44267
  • 1,000 pcs$0.34695

Частка нумар:
IPA50R190CEXKSA2
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Транзістары - IGBT - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPA50R190CEXKSA2. IPA50R190CEXKSA2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA50R190CEXKSA2 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPA50R190CEXKSA2
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
Серыя : CoolMOS™ CE
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 500V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 18.5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 6.2A, 13V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 510µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 47.2nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1137pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 32W (Tc)
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO220 Full Pack
Пакет / футляр : TO-220-3 Full Pack

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.