Toshiba Semiconductor and Storage - TK31J60W5,S1VQ

KEY Part #: K6416292

TK31J60W5,S1VQ Цэнаўтварэнне (USD) [12995шт шт]

  • 1 pcs$3.50567
  • 25 pcs$3.48823

Частка нумар:
TK31J60W5,S1VQ
Вытворца:
Toshiba Semiconductor and Storage
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3PN.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Тырыстары - SCR ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Semiconductor and Storage TK31J60W5,S1VQ. TK31J60W5,S1VQ можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK31J60W5,S1VQ Атрыбуты прадукту

Частка нумар : TK31J60W5,S1VQ
Вытворца : Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3PN
Серыя : DTMOSIV
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 30.8A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.7V @ 1.5mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 105nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3000pF @ 300V
Функцыя FET : Super Junction
Рассейванне магутнасці (макс.) : 230W (Tc)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-3P(N)
Пакет / футляр : TO-3P-3, SC-65-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • PSMN5R0-80PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB.

  • FDG410NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6.

  • SI1441EDH-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363.

  • SI1422DH-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6.