Toshiba Semiconductor and Storage - TK31N60W,S1VF

KEY Part #: K6397691

TK31N60W,S1VF Цэнаўтварэнне (USD) [11067шт шт]

  • 1 pcs$4.09851
  • 30 pcs$3.35902
  • 120 pcs$3.03128
  • 510 pcs$2.53971

Частка нумар:
TK31N60W,S1VF
Вытворца:
Toshiba Semiconductor and Storage
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - Зэнер - Масівы and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60W,S1VF. TK31N60W,S1VF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK31N60W,S1VF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : TK31N60W,S1VF
Вытворца : Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне : MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Серыя : DTMOSIV
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 30.8A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.7V @ 1.5mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3000pF @ 300V
Функцыя FET : Super Junction
Рассейванне магутнасці (макс.) : 230W (Tc)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.