Infineon Technologies - IPB60R180P7ATMA1

KEY Part #: K6418652

IPB60R180P7ATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [71986шт шт]

  • 1 pcs$0.54317

Частка нумар:
IPB60R180P7ATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - SCR, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Модулі драйвераў харчавання and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPB60R180P7ATMA1. IPB60R180P7ATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R180P7ATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPB60R180P7ATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET TO263-3
Серыя : CoolMOS™ P7
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 18A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 280µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1081pF @ 400V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 72W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D²PAK (TO-263AB)
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.

  • TK7A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS.

  • IPA65R380C6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220.